长电科技：久违的涨停 转折的前兆

机构：倍新咨询

近日公司的新厂开始投产。新厂区从2004年底开始动工，一期工程今年初投入使用，厂区功能齐全设施一流，单座净化厂房面积5.5万平方米，动力厂房5400平方米，生活区3.8万平方米，其他道路等配套设施2万平方米，总投资20亿元。

目前正式投产的一期工程可以年产50亿块集成电路，二期工程计划在2008年完成，三期工程预计2010年完成，总投资80亿元，最终可形成年产200亿块IC的能力，三个厂区既可独立运转，又可互相整合使用，预计2010年底满载运行后，公司将迈入世界著名的半导体封测企业行列。

公司目前在DIP系列、SOP系列、SIP系列基础上朝着QFN、FCBGA、Sip、TCP、COF、COG、DFN、FBP等中高级IC方向发展。由长电科技自主研发的FBP（平面凸点封装），已经申报了30多项专利（其中15项发明专利，4项国际发明专利），其独特的结构优势、稳定的工艺流程，热、点性能及可靠性能，可以替代所有的QFN、CSP封装，并可实现SiP、MCM的封装效果，FBP融合了低、中、高脚位和单、多晶封装的各项需求。目前FBP项目进展非常顺利，客户订单踊跃。长电先进的堆叠技术（Stacked Die）和SIP（系统封装技术）这些国际水平技术储备与客户群进一步培育夯实了公司未来的发展基础，使得长电先进有望成为继FBP业务之后又一个爆发增长的亮点；

而半导体政策优惠及两税并轨将使公司在同类企业中受益最大。作为高新技术企业，公司现综合所得税率仍高达31.44%。考虑未来两税并轨及国家对半导体支持政策，未来公司所得税率有望降为15%，从而提升当年净利润约25%。

在连续落后大盘涨幅后，周一该股封于涨停，启动迹象明显，周四同行业的江苏南通富士通微电子将在中小板挂牌，从新股上市的一贯表现看，该股获得相当的溢价也在情理之中，这样作为最具可比性的长电科技的股价优势就非常明显，因此长电科技本周的交易性机会值得投资者的重点关注。

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