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国家集成电路基金、中芯国际和美国高通拟2.8亿美元共同投资中芯长电

来源:新华网
  新华网北京9月17日电(记者 郭宇靖)中芯国际、国家集成电路产业投资基金股份有限公司和美国高通16日在京召开发布会,宣布达成向中芯长电半导体公司投资的意向并签署不具有法律约束力的投资意向书,投资总额2.8亿美元。此次投资将帮助中芯长电加速中国第一条12英寸凸 块生产线的建设进度,扩大产能提升制造能力,完善中国芯片产业的加工产业链。

  中芯长电半导体2014年8月由中芯国际和长电科技共同投资1.5亿美元成立,是全球首个专注于先进凸块制造技术的专业中段硅片加工企业。随着技术进步和移动互联网规模扩大,终端芯片对凸块加工的需求急剧增长。

  中芯长电半导体CEO崔东说,一年过去公司已先后完成生产工艺调试和产品认证加工,取得较高良率,有望于2016年量产。此次新一轮融资规模2.8亿美元中,中芯国际将保持控股地位,国家集成电路产业投资基金是新增投资人,而全球最大的手机芯片商高通的出现则更具意义。

  作者:郭宇靖
business.sohu.com false 新华网 https://news.xinhuanet.com/fortune/2015-09/17/c_1116590129.htm report 1239 新华网北京9月17日电(记者郭宇靖)中芯国际、国家集成电路产业投资基金股份有限公司和美国高通16日在京召开发布会,宣布达成向中芯长电半导体公司投资的意向并签署不
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