据介绍，这一存储器基地项目的主要产
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中国科学院微电子研究所所长叶甜春表示，目前中国还没有真正意义上的存储芯片生产能力，因此该项目的布局可谓中国半导体产业的“淮海战役”，是中国公司真正走上自主生产半导体之路的里程碑，一旦成功将为我国打破主流存储器领域空白，实现产业和经济跨越发展提供了重要支撑。
国家级产业基金领投
2014年，国家颁布实施《国家集成电路产业发展推进纲要(2015-2025)》，制订了今后10年发展集成电路产业战略部署，同期成立国家集成电路产业领导小组和国家集成电路产业投资基金。2015年发展存储器上升为国家战略。
据了解，存储器是信息系统的基础核心芯片，亦是最大宗的集成电路产品，同时还是我国进口金额最大的集成电路产品。
2014年全球存储器市场规模约700亿美元，约占全球集成电路市场份额的25%，同比增长约10%。而我国是全球最大的电子信息产业基地，电子整机所用存储器市场需求约2465.5亿元，占我国集成电路市场规模的23.7%。2014年，我国集成电路进口额2176.2亿美元，是我国进口额最大的产品，其中存储器进口额占24.9%。因此该项目的布局，为我国打破主流存储器领域空白，实现产业和经济跨越发展提供了重要支撑。
为保证该项目顺利实施，国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北省集成电路产业投资基金股份有限公司、国开发展基金有限公司、湖北省科技投资集团有限公司共同出资作为股东，在武汉新芯集成电路制造有限公司的基础上组建一家存储器公司，成为这一存储器基地项目的实施主体公司。
清华大学微电子学研究所所长魏少军透露，存储器产业已纳入我国“十三五”规划的重点发展领域，未来国家层面还将加大对此领域的扶持力度。
迎弯道超越黄金窗口
事实上，存储器产品路径选择一直是国家存储器战略最为关注的地方，到底是主要发展目前市场主流的内存DRAM产品，还是代表未来发展趋势的3D NAND产品一直存在争论，从目前国家方案来看，最终保持和国际存储器大厂同样的投资路线：3D NAND。
据IC Insights数据，2015年半导体存储器市场总额达835亿美元。武汉新芯商务长陈少民在接受《第一财经日报》记者采访时表示，各类存储器中，NAND Flash是一个亮点。其广泛应用于PC、手机、服务器等各类电子产品，2015年营收达到267亿美元。 “过去，我们所使用的都是2D NAND，即二维层面上的闪存。但2D NAND工艺逼近物理极限，单位面积存储容量难以继续提高，且可靠性降低，2D NAND向3D NAND转型是业界趋势。3D NAND Flash每年成长达到100%，这是一个巨大的市场机会。”
“日本抓住了DRAM发展机遇，韩国抓住了DRAM和NAND发展机遇，两国都成为了存储器行业的领头羊。如今3D NAND技术兴起，‘十三五’规划又将半导体作为发展重点，我们可谓正好走到了一个发展的‘风口’，势必把握这一机会。”陈少民表示，武汉新芯在电荷俘获型存储器领域的长期研发和量产的经验成为其在3D NAND 研发上的关键优势。武汉新芯通过完成先导产品的研发，迅速达到3D NAND国际主流技术水平并开始切入存储器国际市场，同时会全力推动整体产能扩充。在2020年达到月产30万片，进入世界存储器产品市场第一梯队，最终实现弯道超越。
东湖高新区管委会主任张文彤指出，这一存储器基地项目建成后，以此为龙头可以带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展，集合已经在武汉光谷地区形成规模的显示产业(天马、华星光电)、智能终端产业(华为、联想、富士康)，打造万亿级的芯片-显示-智能终端全产业链生态体系，光谷将成为国内乃至全球最密集的电子信息产业基地。
作者：周芳来源一财网)
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