华微电子:股权激励+业绩承诺构筑价值底线

机构：国泰君安
结束单边上行走势，周三市场迎来了调整行情。早盘走势相对强劲，盘中曾几度上探至4300点，但好景不长，到了下午就在两波明显杀跌盘打压下急速下探，最终指数跌破4200点，收于4182.74点。

今日大盘走势再度验证了“政策顶”的说法，也为行情的发展增添了几分谜局。我们认为，在大盘调整的区间内，紧跟基金步伐，追逐蓝筹股才是资金避风的最佳场所，可留意华微电子（600360），基金精选股，良好的基本面构筑公司投资底线，逢低可适当关注。

分立器行业龙头

公司我国最大的功率半导体专业生产企业，半导体产品尤其是芯片的制造方面居全国领先。华微电子被中国科学技术部、国务院国资委和中华全国总工会确定为首批 103家创新型试点企业之一，成为半导体行业唯一入选的企业。今后，公司将在承担国家科技计划项目以及地方重大科技项目、建立重点实验室、工程中心等基地、运用政策性贷款等方面获得更多的政策倾斜。

2006年度是华微电子高速成长，具有重要意义的一年。该年度里公司功率半导体器件业务实现销售收入7.64亿元，在赛迪顾问公司（CCID）公布的2006年国内功率半导体器件生产企业排名中位列第四，在以功率半导体器件制造为主的企业中排名第一，行业霸主地位无人可及。并且随着网络化和数字化的持续推进，以及新材料（GaN、SiC）和新技术（如微纳米、MEMS、碳纳米管）的不断出现，半导体分立器件的功能日益增强，公司所处行业的广阔前景为公司成长定下和谐的基调。

定向增发砸向高端

公司计划非公开增发不超过3500万A股，用于新型功率半导体器件生产线项目建设，项目定位半导体高端产业链条。本项目总投资为39345万元，建设期为1.5年。项目计划建设一条年生产能力为48万片的六英寸新型功率半导体器件生产线，产品方向为垂直导电双扩散MOS 功率晶体管（VDMOS）、绝缘栅双极功率晶体管（IGBT）和功率集成电路（PIC）。经测算，项目建成后，正常生产年的税后利润可达8307万元，投资内部收益率达17.35%，税后静态投资回收期为6.75年，具有良好的经济效益。该项目的建设同时也体现了落实国务院“振兴东北地区等老工业基地”政策的精神，使得项目前景更加光明。

“股权激励+业绩承诺”构筑价值底线

公司制定了周全的股权激励机制，根据方案，公司授予激励对象1500万份股票期权相应的，同样也制定了严格的行权条件，授予条件是2006年-2009年的净利润不低于2005年的1.3、1.7、2.1和2.6倍；另外，在股权分置改革时，大股东郑重承诺：如果在2006年和2007年任何一个会计年度，公司的净利润较上一年增长低于30%，大股东将追加送股，总数为500万股。在“股权激励+业绩承诺”双重保障下，我们有理由相信，在未来三年时间里，公司经营层面将上一个不小的台阶。

更为重要的是，华微电子是基金重点关照对象，从一季报来看，其十大流通股东全部为基金。倡导价值投资理念的基金大力建仓该股，也成为公司良好基本面的佐证。盘面上，周三该股抵御住大盘跳水，最终收平，后市逢低可适当关注。

国泰君安 许斌

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