英特尔大连芯片厂奠基

9月8日，美国英特尔公司投资建立的大连芯片厂在大连经济技术开发区举行奠基仪式，大连芯片厂投资总额达到25亿美元，英特尔公司董事会主席克瑞格·贝瑞特、大连市市长夏德仁等出席奠基典礼。

　　根据中美双方签订的合作协议，英特尔大连芯片厂首期投入２５亿美元，项目建设期为５年。建成投产后形成月产１２英寸、９０纳米集成电路芯片５２０００片的生产能力，主要产品为ＣＰＵ芯片组。大连芯片厂预计在2010年投产，据估算一期工程投产后将提供约１７００个就业岗位。

　　
　　英特尔公司董事会主席克瑞格·贝瑞特表示，英特尔公司在华投资超过２０年，大连芯片厂是公司在全球第八家、亚洲首家芯片工厂。英特尔大连芯片厂总使用面积达16.3万平方米，内含1.5万平方米的无尘室，计划采用英特尔先进的纳米制程工艺，并配合全球主流的300毫米晶圆技术，以完善英特尔在全球的芯片生产网络。

　　
　　大连市市长夏德仁说，英特尔大连芯片工厂的奠基和开工建设，体现了中美经济技术合作的新进展，展现了中国优越的投资环境，对推动东北老工业基地振兴，对大连使用高新技术产业调整产业结构、保护环境，乃至提升中国的集成电路产业地位，都将产生影响。

　　
　　新华社图片

　　
　　 搜狐证券声明：本频道资讯内容系转引自合作媒体及合作机构，不代表搜狐证券自身观点与立场，建议投资者对此资讯谨慎判断，据此入市，风险自担。