来源：中华工商时报
三星电子日前发表告示称，与日本东芝就共享两家半导体部门的专利达成了协议。
在ＮＡＮＤ型闪存领域位居前二的三星电子和东芝，从２００２年９月至今年３月，一直共享半导体领域专利技术。
此次达成的协议延长了专利共享时间，但根据协议并未公开具体共享期限和条款。
三星电子相关人士表示：“为了避免不必要的专利竞争，并加强领头企业间的合作，以及占领市场主导权，决定共享专利技术。”去年，三星电子和东芝在ＮＡＮＤ型闪存市场的占有率分别为４２．１％和２９．３％，分别位居第１和第２，海力士则以１２．３％位居第３。
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