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英特尔定于2009年在32纳米技术节点开始推出三门晶体管。采用这种新型的三维晶体管结构，英特尔期望实现显著的功率节省及性能改进目标。在VLSI技术论坛开幕前一天，英特尔公布了该晶体管的细节。据英特尔元件研究总监Mike Mayberry称，该公司在新晶体管内成功集成了高K介电质、金属门电极和应变硅。

该晶体管消耗的功率明显低于当今的平面型晶体管。据Mayberry称，三门晶体管实现更好的关断电流(off-current)，因此集成电路将耗费更少的泄漏功率。高K值金属门也减少功率耗散，同时实现更快速度。

据Mayberry称，与最新的65纳米晶体管相比，新型晶体管速度将提升45%，关断电流减少50%。采用新晶体管的处理器以常速消耗35%的总体功率。

英特尔计划采用这种晶体管结构作为45纳米节点以上未来微处理器的基本构建模块，这意味着即将到来的65纳米和45纳米节点将以常规方式实现。英特尔预计2009年批量生产32纳米器件，2011年生产22纳米器件。

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