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NEC公司日前开发出一项新型SiP(系统级封装)技术SMAFTI，据称，该技术可将逻辑LSI和芯片面积较大的Gbit级大容量DRAM层叠在同一封装内，与过去相比能够以10倍以上的速度在两芯片之间进行数据传输。如使用该技术构筑系统LSI，以手机为代表的在封装面积和耗电量方面存在制约的便携终端将能完成与数字电视高清内容相媲美的高精晰视频处理。

SMAFTI的实现技术大体包括以下三点。一是以相当于过去1/4的50μm连接间隔将逻辑LSI和大容量内存进行多点连接的小间隔焊接凸起连接技术，能够在相同的芯片面积上形成4倍于过去的焊接凸起，从而实现100Gbps的高速数据传输。在连接各芯片的焊接凸起中采用了无铅焊锡。

二是厚度仅15μm的贯通封装底板。通过结合使用线宽约为老式封装内部布线一半、即线宽为15μm的镀铜布线和厚度为7μm的聚酰亚胺树脂，实现了超薄的封装底板。由此，不仅控制了布线的IR压降，还能在芯片间进行高密度连接。贯通封装底板的布线高度为15μm，与芯片内部的长距离布线(高为数μm)相比，可实现大截面积布线。此技术不仅有助于控制IR压降，还有助于提高数据传输速度。

三是在半导体前期工序中对层叠封装2个芯片的一系列封装组装工序进行整体处理。具体来说，就是首先在起支撑底板作用的仿真硅晶圆上配置内存芯片，对其进行封装后去除硅晶圆。在去除后的背面配置逻辑LSI，最后形成外部端子后形成BGA封装。

NEC先进设备开发部总经理Takaaki Kuwata表示：“SoC技术在开发成本和存储器容量方面存在缺陷，而传统的SiP产品则封装尺寸较大，而且在信号转换速度、线邦定连接等方面受到限制。SMAFTI技术则可以解决上述问题。”NEC声称，到2007年第一季度将会有采用SMAFTI技术的无铅产品出货。

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